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2019   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• Serise connected-NPN 및 N-Stack기술 적용을 통하여 높은 홀딩전압특성을 갖는 새로운 구조의 SCR에 관한 연구

서정주,권상욱,도경일,이병석,구용서,한국전기전자학회,3월,pp.338-341, 2019

• 전류 스위칭 회로를 이용한 빠른 과도응답특성을 갖는 Capless LDO 레귤레이터

권상욱,도경일,서정주,구용서,한국전기전자학회,3월,pp.186-189, 2019

2018   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• SCR 기반 고감내 특성을 갖는 기생 PNP BJT 삽입형 새로운 ESD 보호회로에 관한 연구

채희국,도경일,서정윤,서정주,구용서,전기전자학회논문지,3월,pp.80-86, 2018

• LVTSCR 기반의 2-Stack 구조 설계를 위한 ESD 보호회로에 관한 연구

서정윤,도경일,채희국,권상욱,구용서,전기전자학회논문지,9월,pp.836-841, 2018

2017   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• 높은 홀딩 전압을 갖는 세그먼트 레이아웃 기법을 이용한 SCR 기반 ESD 보호회로에 관한 연구

박준걸,도경일,채희국,서정윤,구용서,전기전자학회논문지,3월,pp.7-12, 2017

• 두 개의 출력을 갖는 LDO 레귤레이터 설계

권민주,김채원,곽재창,전기전자학회논문지,6월,pp.154-157, 2017

• 과도응답을 향상시킨 피드백 구조를 갖는 LDO 레귤레이터

2016   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

박경현,권민주,정준모,구용서,전기전자학회학술지,9월,pp.307-309, 2016

• 향상된 전기적 특성을 갖는 저면적 ESD 보호회로에 관한 연구

도경일,박준걸,권민주,박경현,구용서,전기전자학회논문지,12월,pp.361-366, 2016

2015   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• 선형방식과 스위칭 방식의 레귤레이터를 함께 구동하기 위한 Mode Selector

조한희,박경현,정준모,구용서,전기전자학회논문지,6월,pp.260-264, 2015

• SCR 기반 양방향성 ESD보호회로의 설계 변수 변화에 따른 전기적 특성의 관한 연구

김현영,이충광,남종호,곽재창,구용서,전지전자학회논문지,6월,pp.265-270, 2015

2014   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• 파워 클램프용 래치-업 면역 특성을 갖는 SCR 기반 ESD 보호회로

최용남,한정우,남종호,곽재창,구용서,전기전자학회논문지,3월,pp.25-30, 2014

2013   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• 양 방향성과 높은 홀딩전압을 갖는 사이리스터 기반 Whole-Chip ESD 보호회로

송보배,한정우,남종호,최용남,구용서,전기전자학회논문지,9월,pp.378-384, 2013

• 패스 트랜지스터에 바디 구동 기술을 적용한 저면적 LDO 레귤레이터

박준수,유대열,송보배,정준모,구용서,전기전자학회논문지,6월,pp.214-220, 2013

• 파워 클램프용 높은 홀딩전압을 갖는 사이리스터 기반 새로운 구조의 ESD 보호회로

이병석,김종민,변중혁,박원석,구용서,전기전자학회논문지,6월,pp.208-213, 2013

• ESD 보호 소자를 탑재한 Peak Current-mode DC-DC Buck Converter

박준수,송보배,유대열,이주영,구용서,전기전자학회논문지,3월,pp.77-82, 2013

2011   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• 낮은 순방향 전압 강하와 높은 래치-업 특성을 갖는 이중-에미터 구조의 LIGBT에 관한 분석

정진우,구용서,이병석,박상조,전기전자학회논문지,6월,pp.164-170, 2011

• ESD 보호 소자를 탑재한 다중 스위치 전류모드 Buck-Boost Converter

김경환,이병석,김동수,박원석,정준모,전기전자학회논문지,12월,pp.330-338, 2011

2010   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• 스위치 전도 손실을 개선한 인터리브 DC-DC 벅-부스트 컨버터 설계

이주영,주환규,이현덕,양일석,구용서,전기전자학회논문지,9월,pp.250-255, 2010

• 새로운 구조의 pMOS 삽입형 TIGBT의 전기적 특성 분석

이현덕,원종일,양일석,구용서,전기전자학회논문지,3월,pp.56-64, 2010

2009   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• Buck Converter를 이용한 CCD 이미지 센서용 전원 제어부 설계

하재환,하가산,신사무셀,주환규,구용서,전기전자학회논문지,3월,pp.56-64, 2009

• 스위치 전도 손실과 전류 리플을 개선한 DC-DC 부스트 컨버터 설계

이강윤,하재환,이현덕,구용서,전기전자학회논문지,3월,pp.546 - 547, 2009

• 게이트 기판 바이어싱을 이용한 낮은 트리거 전압을 갖는 GGNMOS 설계에 관한 연구

이현덕,하재환,손정만,정준모,구용서,전기전자학회논문지,9월,pp.447-448, 2009

2008   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• 게이트-기판 바이어싱 기술을 이용한 낮은 트리거 전압을 갖는 ESD 보호회로

이현덕,하재환,손정만,정준모,구용서,전기전자학회논문지,9월,pp.591 - 592, 2008

• DTMOS 스위치를 사용한 DC-DC boost Converter 설계

이강윤, 하가산, 김귀동,구용서,전기전자학회논문지,9월,pp.581-582, 2008

• 높은 홀딩전압을 갖는 SCR기반 새로운 구조의 ESD 보호 소자

원종일, 신사무엘, 김귀동, 권종기,구용서,전기전자학회논문지,9월,pp.459-460, 2008

• 온-칩 ESD 보호 회로를 위한 높은 홀딩전압을 갖는 사이리스터기반 새로운 구조의 ESD 보호 소자

이강윤,하재환,이현덕,구용서,전기전자학회논문지,9월,pp.67-70, 2008

• DTMOS 스위치를 이용한 고효율 DC-DC변환기 설계

이강윤,하가산,김귀동,권종기,구용서,전기전자학회논문지,9월,pp.447-448, 2008

• 향상된 전기적 특성을 갖는 IGBT에 관한 연구

이현덕,하재환,손정만,정준모,구용서,전기전자학회논문지,9월,pp.591 - 592, 2008

• 낮은 온-저항 특성을 갖는 2500V IGBTs

신사무엘,손정만,하가산,구용서,전기전자학회논문지,9월,pp.581-582, 2008

• 모바일 기기를 위한 ESD 보호소자 내장형 고효율 DC-DC 컨버터 설계

하가산,손정만,신사무엘,원종일,곽재창,구용서,전기전자학회논문지,9월,pp.565 - 566, 2008

2007   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• 고전압 IGBT의 설계변수에 따른 전기적 특성에 관한 연구

하가산,손정만,신사무엘,구용서,전기전자학회논문지,9월,pp.117-118, 2007

• HV-MOSFET의 고온환경에서의 전기적 특성 분석

구용서,전기전자학회논문지,pp.95-99, 2007

• Dynamic Threshold-Voltage MOSFET을 스위칭소자로 내장한 DC-DC Converter 설계

하가산,손정만,권종기,정준모,구용서,전기전자학회논문지,pp.176-183, 2007

• 2500V급 IGBT의 전기적 특성에 관한 연구

신사무엘,손정만,구용서,전기전자학회논문지,pp.323 - 324, 2007

• 저 전압 DC-DC converter 설계에 관한 연구

신사무엘,손정만,구용서,여성공학기술인력 양성사업, 2007

• 낮은 트리거링 전압 특성의 ESD 보호회로 Cell 설계

이재현,구진근,강진영,구용서, 전기전자학회논문지,pp.707 - 708, 2007

• 새로운 구조의 IGBT 소자 설계 및 전기적 특성에 관한 연구

손정만,박지정,신사무엘,구용서, 전기전자학회논문지,pp.761 - 762, 2007

• 낮은 온 저항을 가지는 스위칭 소자 내장형 저전압 DC-DC 컨버터 설계

박미정,손정만,육승범,구용서, 전기전자학회논문지,pp.773 - 774, 2007

• 고 전류 소자 내장형 Regulator IC 설계에 관한 연구

육승범,박미정,이재현,구용서, 전기전자학회논문지,pp.150 - 153, 2007

• 새로운 구조의 LDMOSFET 소자 설계 및 전기적 특성 연구

박미정,이조운,이재현,구용서, 전기전자학회논문지,pp.454 - 457, 2007

• High-Speed I/O Circuit을 위한 새로운 구조의 나노급 LILVTSCR ESD 보호회로에 대한 연구

이조운,손정만,육승범,구용서, 전기전자학회논문지,pp.415 - 418, 2007

2006   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• 저 전압 트리거형 ESD 보호회로를 탑재한 고 효율-저 전압 DC-DC Converter 설계

육승범,이재현,구용서, 전기전자학회논문지,pp.149 - 155, 2006

• BiCMOS 기술을 이용한 고속-저 전압 LVDS 회로 설계

이재현,육승범,김귀동,권종기,구용서, 전기전자학회논문지,pp.575 - 578, 2006

• 고속 저 전압 BiCMOS LVDS 회로 설계에 관한 연구

이재현,육승범,김귀동,권종기,구용서, 전기전자학회논문지,pp.591 - 592, 2006

• 새로운 구조의 나노소자기반 고속/저전압 ESD 보호회로에 대한 연구

이조운,육승범,김귀동,권종기,구용서, 전기전자학회논문지,pp.589-590, 2006

• 새로운 구조의Zener Triggered SCR ESD 보호회로에 대한 연구

이조운,이재현,손정만,박미정,구용서, 전기전자학회논문지,pp.559 - 560, 2006

• A 12b 200KHz 0.47mA 0.47mm2 Algorithmic A/D Converter for MEMS Applications

이조운,이재현,손정만,박미정,구용서, 제 13회 한국반도체학술대회,pp.181-182, 2006

2005   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• BCD 기술을 이용한 고전류 및 Low Drop Out-voltage Regulator IC 설계에 관한 연구

박태수,최인철,이조운,구용서, 전기전자학회논문지,pp.937-940, 2005

• Asymmetric 고 내압 MOSFET의구조적 변화에 따른 고온 영역에서의 전기적 특성 분석

박태수,최인철,이조운,구용서, 전기전자학회논문지,pp.937-940, 2005

• Bi-CDMOS 기술을 이용한 고성능 Regulator IC 설계에 관한 연구

박태수,최인철,이조운,구용서, 전기전자학회논문지,pp.417 -422, 2005

2004   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• SMPS 용 PWM IC 설계

최인철,임동주,조한주,구용서, 전기전자학회논문지,pp.557 - 560, 2004

• SSR(Solid State Relay)용 SOI Photodiode Array 설계 및 제작

신수호,조희엽,구용서, 전기전자학회논문지,pp.509-512, 2004

• RESURF type의 SOI n-LDMOSFET 소자 설계 및 제작

김재석,김범주,구진근,구용서, 전기전자학회논문지,pp.355-358, 2004

• 고속 Bipolar 소자를 이용한 comparator 설계

박진우,조정호,구용서, 전기전자학회논문지,pp.351 - 354, 2004

• 고내압 LDMOSFET 내장형 PWM IC 설계에 관한 연구

박진우,조정호,구용서, 전기전자학회논문지,pp.221-226, 2004

2003   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• Symmetric high voltage MOSFET의 extended source/ drain 길이에 따른 전기적 특성의 고온영역 신뢰성 분석

임동주,최인철,구용서, 전기전자학회논문지,pp.309-312, 2003

2002   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• 400V급 LDMOSFET 전력소자의 설계에 관한 연구

조희엽,박재형,김범주,구용서, 전기전자학회논문지,pp.505 - 508, 2002

• 온도변화에 따른 고내압 LDMOS의 공정파라미터 최적화에 관한연구

박재형,김범주,구용서, 전기전자학회논문지,pp.387-390, 2002

• Gate length에 따른 LDMOS 전력 소자의 고온동작 특성 연구

박재형,구진근,구용서, 전기전자학회논문지,pp.13-16, 2002

• 고온영역에서 게이트 확장길이 변화에 따른 고내압 LDMOSFET의 전기적 특성연구

김범주,노태문,구용서, 전기전자학회논문지,pp.217-220, 2002

• Gate length에 따른 LDMOS 전력 소자의 고온동작 특성 연구

박재형,구진근,구용서, 전기전자학회논문지,pp.185-188, 2002

• 고내압 LDMOSFET의 저온특성에 관한 연구

박재형,이호영,구용서, 전기전자학회논문지,pp.201 - 204, 2002

2000   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• 고온 환경동작에서 드리프트 영역길이 변화에 따른 100V급 LDMOSFET의 전기적 특성에 관한 연구

최철,김도형,구용서, 전기전자학회논문지,pp.278-281, 2000

• Partial SOI 기판을 이용한 고속-고전압 Smart power 소자설계 및 전기적 특성에 대한 연구

최철,김도형,구용서, 전기전자학회논문지,pp.245-248, 2000

• 1-10 Ghz 대역에서의 SiGe HBT’s 소신호 입력 임피던스 parameter 추출방법

김도형,이상흥,구용서, 전기전자학회논문지,pp.245 - 248, 2000

1999  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• Submicron LDD NMOSFET에서 back bias에 따른 transconductance 변화에 대한 연구

원명규,안철,구용서, 전기전자학회논문지,pp.875 - 878, 1999

• High-frequency SAVEN 소자설계 및 이를 이용한 500MHZ Latched Comparator 설계

원명규,안철,구용서, 전기전자학회논문지,pp.145-148, 1999

• 새로운 구조의 고속-고내압 SOI Smart Power 소자 설계에 관한 연구

원명규,안철,구용서, 전기전자학회논문지,pp.183-185, 1999

1998   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• Monolithic high voltage IC를 위한 BCD 공정 및 소자설계에 관한 연구

곽원영,안철,구용서, 전기전자학회논문지,pp.62-65, 1998

1997  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• ECR 플라즈마 방법에 의한 SiO2 박막제조에 관한 연구

이현,강문상,구용서, 전기전자학회논문지,pp.135-138, 1997

• Bipolar소자 및 BiCMOS inverter의 저온특성에 관한 연구

곽원영,이상원,구용서, 전기전자학회논문지,pp.130-134, 1997

• LN2 환경에서 MOS소자 및 CMOS 인버터의 전기적 특성

곽원영,이상원,강문상,구용서, 전기전자학회논문지,pp.75-78, 1997

• LDD NMOSFET에서 HOT Carrier 열화시 Device Lifetime에 관한 연구

고정욱,김재영,강문상,구용서, 전기전자학회논문지,pp.112-115, 1997

1996  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

• ECR CVD를 이용한 SiO2박막 특성에 관한 연구

윤석규,강문상,김재영,구용서, 전기전자학회논문지,pp.1288, 1996

• 짧은 채널길이를 갖는 고내압 power SOI MOSFET의 항복전압에 관한 연구

정성호,김재영,강문상,구용서, 전기전자학회논문지,pp.285, 1996